Infineon Technologies hat eine neue Fabrik in Malaysia eröffnet und damit seine Produktionskapazitäten für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) erheblich erweitert. Die Investition von fast 2 Milliarden Euro wird sich in der ersten Phase auf die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern konzentrieren und die Galliumnitrid-Epitaxie (GaN) einbeziehen.
Mit diesem Schritt festigt Infineon seine Position als führender Anbieter von Leistungshalbleitern. Das Unternehmen hat bereits Design Wins im Wert von rund 5 Milliarden Euro von sechs OEMs im Automobilsektor erhalten.
„Da die Nachfrage nach Halbleitern ständig steigen wird, ist die Investition in Kulim für unsere Kunden, die sie mit ihren Vorauszahlungen unterstützen, sehr attraktiv. Außerdem erhöht sie die Widerstandsfähigkeit der Lieferkette für wichtige Komponenten, die für den grünen Wandel benötigt werden“, sagte Jochen Hanebeck, CEO von Infineon Technologies.
Neue Generationen von Leistungshalbleitern, die auf innovativen Technologien wie Siliziumkarbid basieren, sind eine absolute Voraussetzung für die Dekarbonisierung und den Klimaschutz.
Jochen Hanebeck
Die Erweiterung der Infineon-Fabrik in Malaysia ist Teil einer größeren strategischen Neuausrichtung des Unternehmens, das in den letzten Jahren erhebliche Investitionen in der Region getätigt hat. Die neue Fabrik wird mit 100 % Ökostrom betrieben und nutzt die neuesten Energieeffizienzmaßnahmen, um das Ziel des Unternehmens zu unterstützen, klimaneutral zu werden.
Um die Emissionen zu reduzieren, will Infineon ein hochmodernes Abgasreinigungssystem einführen und umweltfreundliche Kühlmittel verwenden, die eine hohe Effizienz und ein geringes Treibhauspotenzial aufweisen.
Es wird erwartet, dass die Entwicklung bis zu 4.000 Arbeitsplätze schaffen wird. Das Unternehmen hat bereits erste Zusagen von Kunden in Höhe von rund 1 Milliarde Euro für die weitere Verbesserung der Fabrik erhalten.
Massenproduktion von SiC-Wafern
Das Wachstum des SiC-Marktes wird durch die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen angetrieben, die effizientere und zuverlässigere Leistungshalbleiter erfordern.
Onsemi, ein weiterer großer SiC-Hersteller, hat angekündigt, noch in diesem Jahr die Massenproduktion von 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern aufzunehmen und im Jahr 2025 in Produktion zu gehen. Die Mittel werden für die Weiterentwicklung der vertikal integrierten Siliziumkarbidproduktion in der derzeitigen tschechischen Anlage verwendet. Diese Investition gilt als eine der bedeutendsten in der Geschichte des tschechischen Privatsektors.
Da die Nachfrage nach sauberen, energieeffizienten Leistungshalbleitern weiter steigt, sind Unternehmen wie Infineon und onsemi gut positioniert, um von dieser Wachstumschance zu profitieren.